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IS49NLC36160A	文件：300 bytes Page：1 Pages	RLDRAM® 2 Memory ·Reduced cycle time (up to 8ns at 1GHz)\n·Available in different densities providing flexibility for different design requirements\n·Available in wide bus widths (x9, x18, x 36), separate and common I/Os\n·Different voltage supply to reduce power consumption\n·Supports commercial and industrial oper	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS49NLC36160A	文件：980.22 Kbytes Page：36 Pages	Reduced cycle time 文件：980.22 Kbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS49NLC36160A-25EWBL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：144-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS49NLC36160	文件：629.7 Kbytes Page：34 Pages	576Mb (x9, x18, x36) Common I/O RLDRAM 2 Memory 文件：629.7 Kbytes 页数：34 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更多IS49NLC36160A供应商更新时间2025-10-15 16:07:00