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IS46DR16640B-25EBLA2

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

文件:548.81 Kbytes 页数:28 Pages

ISSI

矽成半导体

IS46TR16128A-15HBL

ISSI
BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS46TR16128C-15HBLA1

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FBGA96

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富芯乐电子科技有限公司

IS46TR16640B-15GBLA2

ISSI
FBGA96

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矽成半导体

上传:深圳市得捷芯城科技有限公司

IS485E

SHARP
DIP-2

SHARPSharp Corporation

夏普

上传:深圳市神舟芯电子科技有限公司

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更多IS46DR16640B-25EBLA2供应商 更新时间2025-10-10 11:10:00