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IS46LR32160D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mobile DDR SDRAM ·Double-data rate\n·Four internal banks with bank controls\n·Programmable Burst Length and CAS Latency\n·Power Savings with:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compenstate Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down\n·Long term support	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS46LR32160C	文件：1.95251 Mbytes Page：47 Pages	4M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM 文件：1.95251 Mbytes 页数：47 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS46LR32160D供应商更新时间2025-11-2 11:01:00