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IS45S32400F

128Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS45S32400F-6BLA1-TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:90-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS45S32400F-6BLA2

包装:托盘 封装/外壳:90-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS45S32400F-6BLA2-TR

包装:托盘 封装/外壳:90-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS45S32400B

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS45S32400E

4Mx32128MbSYNCHRONOUSDRAM

OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedin1Megx32bitx4Banks. FEATURES •Clockfrequency:166,143,133MHz •Fullysync

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    IS45S32400F

  • 功能描述:

    动态随机存取存储器 128M(4Mx32) 143MHz S动态随机存取存储器 3.3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 数据总线宽度:

    16 bit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 封装/箱体:

    SOJ-42

  • 存储容量:

    16 MB

  • 访问时间:

    50 ns

  • 电源电压-最大:

    7 V

  • 电源电压-最小:

    - 1 V

  • 最大工作电流:

    90 mA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 封装:

    Tube

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更多IS45S32400F供应商 更新时间2024-9-22 14:03:00