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IS45S32400F	文件：300 bytes Page：1 Pages	SDR SDRAM ·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S32400F	文件：1.08591 Mbytes Page：60 Pages	128Mb SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.08591 Mbytes 页数：60 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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