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IS45S16800F

SDR SDRAM

·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write

ISSI

矽成半导体

IS45S16800F

128Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00548 Mbytes 页数:62 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45S16800F-6BLA1-TR

Package:54-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-6CTLA1

Package:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-6CTLA1-TR

Package:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

  • 型号:

    IS45S16800F

  • 功能描述:

    动态随机存取存储器 128M(8Mx16) 166MHz S动态随机存取存储器 3.3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 数据总线宽度:

    16 bit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 封装/箱体:

    SOJ-42

  • 存储容量:

    16 MB

  • 访问时间:

    50 ns

  • 电源电压-最大:

    7 V

  • 电源电压-最小:

    - 1 V

  • 最大工作电流:

    90 mA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 封装:

    Tube

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更多IS45S16800F供应商 更新时间2026-1-27 22:58:00