选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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ISSIFBGA |
1368 |
11+ |
原包原装现货,专注ARM内存闪存等芯片 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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ISSIFBGA96 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
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ISSI, Integrated Silicon Solut96-TWBGA(9x13) |
56200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ISSIFBGA96 |
3435 |
23+ |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
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ISSIN/A |
2510 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ISSIBGA |
560 |
21+ |
进口原装正品现货 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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ISSI, Integrated Silicon Solut96-TFBGA |
15000 |
21+ |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ISSIFBGA96 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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ISSIFBGA96 |
39500 |
24+ |
进口原装现货 支持实单价优 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ISSIFBGA90 |
55200 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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ISSIFBGA96 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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ISSI/矽成FBGA96 |
3435 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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ISSIBGA |
5660 |
国内领先的集成电路专业配单!量大可发货!可开17%增值 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ISSI, Integrated Silicon Solu96-TWBGA9x13 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ISSISMD |
15600 |
2018+ |
动态随机存取存储器1G |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ISSINA |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ISSINA/ |
6685 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ISSIFBGA96 |
12000 |
2018+ |
专营ISSI进口原装正品假一赔十可開17增值稅票 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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ISSIBGA |
2550 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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ISSIBGA |
6500 |
22+ |
只做原装正品现货!假一赔十! |
IS43TR16640A-15GBLI采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IS43TR16640A-15GBLI图片
IS43TR16640A-15GBLI中文资料Alldatasheet PDF
更多IS43TR16640A-15GBLI功能描述:动态随机存取存储器 1G, 1.5V,(64M x 16) DDR3 RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
IS43TR16640A-15GBLI-TR功能描述:动态随机存取存储器 1G, 1.5V,(64M x 16) DDR3 RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IS43TR16640A-15GBLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR3
- 存储容量:
1Gb(64M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:
-40°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
96-TFBGA
- 供应商器件封装:
96-TWBGA(9x13)
- 描述:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA