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IS43TR16512B-107MBL中文资料矽成半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IS43TR16512B-107MBL

功能描述

1Gx8, 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

文件大小

3.82264 Mbytes

页面数量

87

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 12:13:00

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IS43TR16512B-107MBL规格书详情

FEATURES

• Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V

• Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V

- Backward compatible to 1.5V

• High speed data transfer rates with system

frequency up to 933 MHz

• 8 internal banks for concurrent operation

• 8n-Bit pre-fetch architecture

• Programmable CAS Latency

• Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2

• Programmable CAS WRITE latency (CWL) based

on tCK

• Programmable Burst Length: 4 and 8

• Programmable Burst Sequence: Sequential or

Interleave

• BL switch on the fly

• Auto Self Refresh(ASR)

• Self Refresh Temperature(SRT)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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