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IS43TR16128C_V01

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

FEATURES  Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V  Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V  High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz  8 internal banks for concurrent operation  8n-Bit pre-fetch architecture  P

文件:4.53213 Mbytes 页数:87 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43TR16128C-125KBLI

FPGA-153

ISSI特价

IS43TR16256A-15HBLI

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市睿朗电子商行

IS43TR16256B-125KBLI

SMD

ISSI/芯成

IS45S16100E-7TLA1

TSOP56

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市星佑电子有限公司

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更多IS43TR16128C_V01供应商 更新时间2025-11-29 15:10:00