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IS43TR16128C-15HBLI	文件：3.49709 Mbytes Page：87 Pages	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM FEATURES StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V-Backwardcompatibleto1.5V Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto933MHz 8internalbanksforconcurrentoperation 8n-Bitpre-fetcharchitecture P	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS43TR16128C-15HBLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：96-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA	ETC	ETC
IS43TR16128C-15HBLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：96-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA	ETC	ETC
IS43TR16128C-15HBL	文件：3.49709 Mbytes Page：87 Pages	256Mx8,128Mx162GbDDR3SDRAM FEATURES StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V-Backwardcompatibleto1.5V Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto933MHz 8internalbanksforconcurrentoperation 8n-Bitpre-fetcharchitecture P	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

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更多IS43TR16128C-15HBLI供应商更新时间2025-7-29 17:01:00