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IS43TR16128C-15HBL	文件：3.49709 Mbytes Page：87 Pages	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM FEATURES StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V-Backwardcompatibleto1.5V Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto933MHz 8internalbanksforconcurrentoperation 8n-Bitpre-fetcharchitecture P	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS43TR16128C-15HBL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：96-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16128C-15HBLI	文件：3.49709 Mbytes Page：87 Pages	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM FEATURES StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V-Backwardcompatibleto1.5V Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto933MHz 8internalbanksforconcurrentoperation 8n-Bitpre-fetcharchitecture P	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS43TR16128C-15HBLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：96-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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产品属性

产品编号：
IS43TR16128C-15HBL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR3
存储容量：
2Gb（128M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
工作温度：
0°C ~ 95°C（TC）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
96-TFBGA
供应商器件封装：
96-TWBGA（9x13）
描述：
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA

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