| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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ISSIFBGA |
8540 |
2445+ |
诚信成就未来!只做原装正品! |
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11年
留言
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ISSIFBGA96 |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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8年
留言
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ISSIFBGA96 |
44300 |
24+ |
原装进口现货假一罚百 |
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8年
留言
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ISSISMD |
15600 |
24+ |
动态随机存取存储器2G |
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13年
留言
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ISSIBGA96 |
1709 |
21+ |
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6年
留言
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ISSI-矽成BGA-96 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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12年
留言
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ISSIBGA |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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2年
留言
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ISSIFBGA-96 |
8000 |
24+ |
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈! |
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13年
留言
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ISSIBGA |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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11年
留言
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ISSIBGA |
15000 |
25+ |
一级代理原装现货 |
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2年
留言
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Integrated SiliconFBGA96 |
10000 |
19+ |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
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1年
留言
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ISSI(美国芯成)BGA-96 |
25000 |
25+ |
只做原装正品 |
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10年
留言
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FBGA96 |
61021 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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12年
留言
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ISSIFBGA96 |
3850 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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7年
留言
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ISSIFBGA96 |
42 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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16年
留言
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ISSI原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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13年
留言
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ISSIFBGA96 |
1900 |
25+ |
原厂原装,价格优势 |
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15年
留言
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ISSIFBGA-96 |
20000 |
23+ |
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4年
留言
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Integrated SiliconFBGA96 |
10000 |
25 |
原装正品 |
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17年
留言
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ISSIcon |
10000 |
24+ |
查现货到京北通宇商城 |
IS43TR16128B-15HBLI采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IS43TR16128B-15HBLI图片
IS43TR16128B-15HBLI价格
IS43TR16128B-15HBLI价格:¥58.1392品牌:ISSI
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IS43TR16128B-15HBLI资讯
IS43TR16128B-15HBLI SDRAM - DDR3 存储器 IC 现货价格originalPDF资料 ISSI 电子元器件一站式配单服务
SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 667 MHz 20 ns 96-TWBGA(9x13)电子元器件一站式配单服务 IS43TR16128B-15HBLI C04-存储器 ISSI * 2137 * 1900
IS43TR16128B-15HBLI
SDRAM - LPDDR5 动态随机存取存储器 , 256 M x 16 SDRAM Mobile - LPDDR4 16 bit 动态随机存取存储器 , 128 M x 8 动态随机存取存储器 , S70KS1281 动态随机存取存储器 , 1 G x 32 动态随机存取存储器 , 16 Gbit SDRAM - DDR4 16 bit 动态随机存取存储器
IS43TR16128B-15HBLI ISSI FBGA96 深圳市金星凯科技有限公司
规格: 存储器类型 易失 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3 存储容量 2Gb (128M x 16) 写周期时间 - 字,页 15ns 访问时间 20ns 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 96-TFBGA 供应商器件封装 96-TWBGA(9x13) 电话:0755-82551996
产品属性
- 产品编号:
IS43TR16128B-15HBLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR3
- 存储容量:
2Gb(128M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:
-40°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
96-TFBGA
- 供应商器件封装:
96-TWBGA(9x13)
- 描述:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA


























