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IS43LR32160C-6BLI-TR中文资料动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS43LR32160C-6BLI-TR |
| 参数属性 | IS43LR32160C-6BLI-TR 封装/外壳为90-TFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA |
| 功能描述 | 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR |
| 封装外壳 | 90-TFBGA |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 11:02:00 |
| 人工找货 | IS43LR32160C-6BLI-TR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
IS43LR32160C-6BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量：
512Mb（16M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
12ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
90-TFBGA
- 供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
TFBGA-90(8x13) |
315000 |
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询价 | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
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ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
90-TFBGA8x13 |
7300 |
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询价 | ||
ISSI |
25+ |
BGA-90 |
16000 |
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ISSI |
25+ |
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7800 |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
22+ |
90TFBGA (8x13) |
9000 |
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ISSI |
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
24+ |
90-TFBGA(8x13) |
56200 |
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