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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IS43LD16640C-18BLI | 1Gb (x16, x32) Mobile LPDDR2 S4 SDRAM FEATURES • Low-voltage Core and I/O Power Supplies VDD2 = 1.14-1.30V, VDDCA/VDDQ = 1.14-1.30V, VDD1 = 1.70-1.95V • High Speed Un-terminated Logic(HSUL_12) I/O Interface • Clock Frequency Range : 10MHz to 533MHz (data rate range : 20Mbps to 1066Mbps per I/O) • Four-bit Pre-fetch DDR Archite 文件:4.16541 Mbytes 页数:142 Pages | ISSI 矽成半导体 | ISSI | |
IS43LD16640C-18BLI | 动态随机存取存储器 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V | ISSI 矽成半导体 | ISSI | |
IS43LD16640C-18BLI | Package:134-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | |
动态随机存取存储器 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V | ISSI 矽成半导体 | ISSI | ||
Package:134-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
产品属性
- 产品编号:
IS43LD16640C-18BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
- 存储容量:
1Gb(64M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
134-TFBGA
- 供应商器件封装:
134-TFBGA(10x11.5)
- 描述:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
SMD |
15600 |
动态随机存取存储器1G64Mx16533MHzLPDDR21.2/1.8V |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
24+ |
- |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ISSI |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
TFBGA-134(10x11.5) |
315000 |
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ISSI |
25+ |
IC |
171 |
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ISSI |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
- |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Solut |
26+ |
134-TFBGA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
25+ |
TFBGA-134(10x11.5) |
499 |
全新原装 |
询价 |
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