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IS43DR81280C中文资料1.8V DDR2 SDRAM数据手册ISSI规格书

厂商型号 |
IS43DR81280C |
参数属性 | IS43DR81280C 封装/外壳为60-TFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA |
功能描述 | 1.8V DDR2 SDRAM |
封装外壳 | 60-TFBGA |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 9:19:00 |
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IS43DR81280C规格书详情
描述 Description
·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V
·SSTL_18 compatible inputs
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号:
IS43DR81280C-25DBLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR2
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-TWBGA(8x10.5)
- 描述:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
2023+ |
BGA60 |
1197 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
ISSI/芯成 |
22+ |
BGA60 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
FBGA60 |
12000 |
专营ISSI进口原装正品假一赔十可開17增值稅票 |
询价 | ||
ISSI |
2407+ |
IC |
30098 |
全新原装!仓库现货,大胆开价! |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
FBGA |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
ISSI |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ISSI/芯成 |
24+ |
BGA60 |
60000 |
询价 | |||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
24+ |
60-TWBGA(8x10.5) |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ISSI/芯成 |
24+ |
8600 |
正品原装,正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 |