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IS43DR16160A中文资料DDR2 SDRAM数据手册ISSI规格书
IS43DR16160A规格书详情
描述 Description
·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V
·SSTL_18 compatible inputs
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号:
IS43DR16160A-25EBLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR2
- 存储容量:
256Mb(16M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
84-TFBGA
- 供应商器件封装:
84-TWBGA(8x12.5)
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
23+ |
BGA |
12800 |
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询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
22+ |
84TWBGA (8x12.5) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ISSI |
25+ |
BGA |
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ISSI/芯成 |
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FBGA84 |
24000 |
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ISSI |
23+ |
FBGA84 |
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ISSI |
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BGA |
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ISSI |
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BGA |
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ISSI |
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FBGA84 |
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ISSI |
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