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IS42VM16160D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mobile/Low Voltage SDR SDRAM ·Synchronous SDRAM interface\n·Multiple Supply Voltage options: 1.8V, 2.5V, 3.3V\n·Full features of standard SDRAM plus mobile:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compensated Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down\n·Long term support	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42VM16160D	文件：490.76 Kbytes Page：23 Pages	Sequential and Interleave 文件：490.76 Kbytes 页数：23 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42VM16160D-8BLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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更多IS42VM16160D供应商更新时间2026-1-27 15:08:00