Auto refresh and self refresh

文件：477.09 Kbytes 页数：33 Pages

ISSI

矽成半导体

1M x 16Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

文件：806.07 Kbytes 页数：34 Pages

ISSI

矽成半导体

1M x 16Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

文件：806.07 Kbytes 页数：34 Pages

ISSI

矽成半导体

Mobile/Low Voltage SDR SDRAM

·Synchronous SDRAM interface\n·Multiple Supply Voltage options: 1.8V, 2.5V, 3.3V\n·Full features of standard SDRAM plus mobile:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compensated Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down\n·Long term support

ISSI

矽成半导体

动态随机存取存储器 32M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx16, 166Mhz, RoHS

ISSI

矽成半导体

动态随机存取存储器 32M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx16, 133Mhz, RoHS

ISSI

矽成半导体

Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc