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IS41LV32256-28TQ中文资料北京矽成数据手册PDF规格书

IS41LV32256-28TQ
厂商型号

IS41LV32256-28TQ

功能描述

256K x 32 (8-Mbit) EDO DYNAMIC RAM 3.3V, 100/83/66 MHz

文件大小

157.63 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 11:10:00

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IS41LV32256-28TQ规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI IS41LV32256 is organized in a 262,122 x 32-bit CMOS Dynamic Random Access Memory. Four CAS signals facilitate execution of Byte Read and Byte Write operations. A very fast EDO cycle time of 10 ns allows an operating frequency of 100 MHz and makes the IS41LV32256 an ideal frame buffer memory for graphics applications.

FEATURES

• 262,144-word by 32-bit organization

• Single +3.3V ± 0.3V power supply

• Four CAS inputs for Byte Write and Byte Read control

• Refresh modes: RAS-Only, CAS-Before-RAS (CBR), and Hidden

• 512-cycle refresh in 8 ms

• Fast Page Mode with Extended Data Out

• 100-pin PQFP, TQFP package

产品属性

  • 型号:

    IS41LV32256-28TQ

  • 制造商:

    ISSI

  • 制造商全称:

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述:

    256K x 32(8-Mbit) EDO DYNAMIC RAM 3.3V, 100/83/66 MHz

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