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IS41LV16100B-50K	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word 文件：143.69 Kbytes 页数：22 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16100B-50KI	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word 文件：143.69 Kbytes 页数：22 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16100B-50KL	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word 文件：143.69 Kbytes 页数：22 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16100B-50KLI	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word 文件：143.69 Kbytes 页数：22 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16100B-50KLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16100B-50KLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16100B-50KL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS41LV16100B-50K
功能描述：
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns
RoHS：
否
制造商：
ISSI
数据总线宽度：
16 bit
组织：
1 M x 16
封装/箱体：
SOJ-42
存储容量：
16 MB
访问时间：
50 ns
电源电压-最大：
7 V
电源电压-最小：
- 1 V
最大工作电流：
90 mA
最大工作温度：
+ 85 C
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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