IS41C16100集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS41C16100
参数属性	IS41C16100 封装/外壳为42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
功能描述	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
封装外壳	42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
文件大小	123.63 Kbytes
页面数量	20 页
生产厂商	ISSI
中文名称	矽成半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-11-30 22:58:00
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IS41C16100规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI IS41C16100 and IS41LV16100 are 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.

The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C16100 ideal for use in 16-bit and 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

• Refresh Interval:

— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

— Self refresh Mode - 1,024 cycles / 128ms

• JEDEC standard pinout

• Single power supply:

— 5V ± 10 (IS41C16100)

— 3.3V ± 10 (IS41LV16100)

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Industrail Temperature Range -40oC to 85oC

• Lead-free available

产品属性

产品编号：
IS41C16100C-50KLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
DRAM - EDO
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
42-SOJ
描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

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