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IS35ML01G081-BLA1

3.3V X8 NAND FLASH MEMORY STANDARD NAND INTERFACE

FEATURES  Flexible & Efficient Memory Architecture - Organization: 128Mb x8 - Memory Cell Array: (128M + 4M) x 8bit - Data Register: (2K + 64) x 8bit - Page Size: (2K + 64) Byte - Block Erase: (128K + 4K) Byte - Memory Cell: 1bit/Memory Cell  Highest performance - Read Performance - R

文件:1.76532 Mbytes 页数:56 Pages

ISSI

矽成半导体

IS41C16257-35KL

SOJ

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矽成半导体

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

IS42S16100C1-7TL

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矽成半导体

上传:深圳市勤思达科技有限公司

IS42S16160B-6TL

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矽成半导体

上传:深圳市凌旭科技有限公司

IS42S16160B-6TL

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矽成半导体

上传:深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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更多IS35ML01G081-BLA1供应商 更新时间2025-12-21 9:01:00