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IS34MW04G164-TLA2

1.8V X8/X16 NAND FLASH MEMORY STANDARD NAND

FEATURES  Flexible & Efficient Memory Architecture - Memory Cell: 1bit/Memory Cell - Organization: 512Mb x8 /256Mb x16 - X8: - Memory Cell Array: (512M + 16M) x 8bit - Data Register: (2K + 64) x 8bit - Page Size: (2K + 64) Byte - Block Erase: (128K + 4K) Byte - X16: - - Memory Cell Arr

文件:2.37765 Mbytes 页数:67 Pages

ISSI

矽成半导体

IS41C16257-35KL

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IS42S16100C1-7TL

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IS42S16160B-6TL

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ISSI存储芯片在售
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更多IS34MW04G164-TLA2供应商 更新时间2025-11-17 16:01:00