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ISCND217P	文件：245.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •DCCurrentGain-hFE=150(Min)@IC=0.8A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposeampliferandswitching ap	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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KAQV217A	文件：172.39 Kbytes Page：7 Pages	PRODUCTSPECIFICATION Features 1.NormallyOpen,SinglePoleSingleThrow 2.Control200VACorDCVoltage 3.Switch180mALoads 4.LEDcontrolCurrent,5mA 5.LowON-Resistance 6.dv/dt,>500V/ms 7.IsolationTestVoltage,3750VACrms	COSMOCOSMO Electronics Corporation 冠西电子冠西电子企业股份有限公司	COSMO
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KAQV217S	文件：415.87 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltage,SolidStateRelay-MOSFETOutput Features 1.NormallyOpen,SinglePoleSingleThrow 2.Control200VACorDCVoltage 3.Switch180mALoads 4.LEDcontrolCurrent,5mA 5.LowON-Resistance 6.dv/dt,>500V/ms 7.IsolationTestVoltage,1500VACrms	COSMOCOSMO Electronics Corporation 冠西电子冠西电子企业股份有限公司	COSMO
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更多IS217T供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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