IRS21850S数据手册集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF
| 厂商型号 |
IRS21850S |
| 参数属性 | IRS21850S 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | 电平移位门极驱动 |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 17:01:00 |
| 人工找货 | IRS21850S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRS21850S规格书详情
描述 Description
600 V High Side Driver IC with typical 4 A source and 4 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.
特性 Features
·Gate drive supply range from 10 V to 20 V
·Undervoltage lockout for for VBS and VCC
·3.3 V and 5 V input logic compatible
·Matched propagation delay for all channels
·Tolerant to negative transient voltage
简介
IRS21850S属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的IRS21850S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号：
IRS21850STRPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
高端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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