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KSMD3303	文件：620.03 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3303	文件：620.5 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LL3303	文件：1.00969 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •AEC-Q101Qualifiedc •100RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LM3303	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3303J	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3303M	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3303N	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP3303	文件：375.82 Kbytes Page：7 Pages	HighPerformance,ConstantCurrentSwitchingRegulatorFor9PCSWhiteLED	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半导体微源半导体股份有限公司	POWER
LU3303	文件：960.11 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
M3303	文件：302.96 Kbytes Page：1 Pages	TiteLiquidTightCordgrips	HeycoHeyco. 海科	Heyco

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详细参数

型号：
IRLU3303
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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