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IRLU3114Z	文件：247.76 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLU3114ZPBF	文件：745.76 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
K3114	文件：1.08737 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K3114B	文件：1.08719 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KSC3114	文件：25.27 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyAmplifierHighFrequencyOSC.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KTC3114	文件：395.14 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURE •HighDCCurrentGain:hFE=6003600.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3114	文件：422.75 Kbytes Page：1 Pages	TO-126PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3114	文件：249.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=50V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=0.25V(Max)@IC=100mA APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KUWT-3114-B	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWT-3114-BSLASHQ	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

详细参数

型号：
IRLU3114Z
功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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