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NTCASCWE3103J	文件：141.9 Kbytes Page：2 Pages	NTCThermistors,ScrewThreadedSensors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
NTCASCWE3103J	文件：76.81 Kbytes Page：2 Pages	NTCThermistors,ScrewThreadedSensors FEATURES •Easymountingwithscrew •Ruggedconstruction •ULrecognized,fileE148885 (ULcategoryXGPU2) •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Temperaturemeasurement,sensingandcontrol •Suitableforsurface	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
NTCSMELFE3103JT	文件：94.91 Kbytes Page：4 Pages	SMDMELFSOD80,GlassEncapsulatedNTCThermistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
NTCSMELFE3103JT	文件：93.25 Kbytes Page：4 Pages	SMDMELFSOD80,GlassEncapsulatedNTCThermistors FEATURES •Smalldiameterdownto1.7mm •Quickresponsetimedownto0.9s •Resistanttocorrosiveatmospheresandharsh environments •Widetemperaturerangefrom-40°Cto+150°C •Availableontape •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/do	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
NTE3103	文件：19.98 Kbytes Page：2 Pages	PhotonCoupledInterrupterModuleNPNDarlington Description: TheNTE3103InterrupterModuleisagalliumarsenideinfraredemittingdiodecoupledtoasiliconDarlingtonconnectedphototransistorinaplastichousing.Thepackagingsystemisdesignedtooptimizethemechanicalresolution,couplingefficiency,ambientlightrejection,cost,a	NTE NTE Electronics	NTE
PAM3103	文件：501.47 Kbytes Page：10 Pages	300mAAdjustableHighPSRRCMOSLinearRegulator	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PAM3103ADJABADJ	文件：501.47 Kbytes Page：10 Pages	300mAAdjustableHighPSRRCMOSLinearRegulator	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PAM3103ADJUBADJ	文件：501.47 Kbytes Page：10 Pages	300mAAdjustableHighPSRRCMOSLinearRegulator	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PAM3103ENABADJ	文件：501.47 Kbytes Page：10 Pages	300mAAdjustableHighPSRRCMOSLinearRegulator	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PAM3103ENUBADJ	文件：501.47 Kbytes Page：10 Pages	300mAAdjustableHighPSRRCMOSLinearRegulator	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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详细参数

型号：
IRLU3103
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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