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MJE4343	文件：139.44 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •RespectivelycomplementtotypeMJE4350/4351/4352/4353 •DCcurrentgainhFE=8(Min)@IC=16A APPLICATIONS •Foruseinhighpoweraudioamplifierandswitchingregulatorcircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
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详细参数

型号：
IRLR4343
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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