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IRLML6401GPBF数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRLML6401GPBF

功能描述

-12V 单个 P 通道无铅 HEXFET Power MOSFET, 采用无卤素 Micro3 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRLML6401GPBF

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SOT-23

  • VDS max

    :-12.0V

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :50.0mΩ

  • RDS (on)(@2.5V) max

    :85.0mΩ

  • RDS (on)(@1.8V) max

    :125.0mΩ

  • Polarity 

    :P

  • ID (@ TA=25°C) max

    :-4.3A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :-3.4A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :1.3W

  • QG 

    :10.0nC 

  • Qgd 

    :2.6nC 

  • RthJA max

    :100.0K/W

  • VGS max

    :8.0V

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
16+
SOT-23
62000
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SOT-23
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