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IRLML5203GPBF中文资料采用无卤素 Micro3 封装的 -30V 单 P 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRLML5203GPBF

功能描述

采用无卤素 Micro3 封装的 -30V 单 P 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 9:14:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRLML5203GPBF

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SOT-23

  • VDS max

    :-30.0V

  • RDS (on) max

    :98.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :98.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :165.0mΩ

  • Polarity 

    :P

  • ID (@ TA=25°C) max

    :-3.0A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :-2.4A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :1.25W

  • QG 

    :9.5nC 

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :1.6nC 

  • RthJA max

    :100.0K/W

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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