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IRLML5203GPBF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

IRLML5203GPBF

Ultra Low On-Resistance

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IRF

IRLML5203GTRPBF

Ultra Low On-Resistance

文件:199.79 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRLML5203GPBF

采用无卤素 Micro3 封装的 -30V 单 P 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRLML5203G

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRLML5203G供应商 更新时间2025-12-17 18:35:00