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IRLML2502GPBF	文件：180.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502GTRPBF	文件：1.09248 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLML2502PBF	文件：180.15 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET TheseN-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502PBF	文件：204.27 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502TR	文件：132.27 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseN-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2502TRPBF	文件：269.72 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
IRLML2502TRPBF	文件：1.09244 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K2502Y	文件：382.45 Kbytes Page：12 Pages	SIDACsfeatureglass-passivatedjunctionstoensurearuggedanddependable	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
K2502Y	文件：431.95 Kbytes Page：12 Pages	Teccor짰brandThyristorsStandardBidirectionalSIDACs Description TheSIDACisasiliconbilateralvoltagetriggeredswitch.UponapplicationofavoltageexceedingtheSIDACbreakovervoltagepoint,theSIDACswitchesonthroughanegativeresistanceregiontoalowon-statevoltage.Conductioncontinuesuntilthecurrentisinterruptedordropsbe	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
KB2502	文件：724.61 Kbytes Page：62 Pages	VIDEOAMPMERGEDOSDPROCESSOR VIDEOAMPMERGEDOSDPROCESSOR TheKB2502isaveryhighfrequencyvideoamplifier&widerangeOSDprocessor1chipsystemwithI2CBuscontrolusedinmonitors.Itcontains3matchedR/G/BvideoamplifierswithOSDprocessorandprovidesflexibleinterfacingtoI2CBuscontrolledadjustment	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
IRLML2502G
功能描述：
MOSFET MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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