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IRLI640GPBF中文资料MOSFET N-CH200V HEXFET MOSFET数据手册Vishay规格书

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厂商型号

IRLI640GPBF

功能描述

MOSFET N-CH200V HEXFET MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-19 10:07:00

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技术参数

  • 型号:

    IRLI640GPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
IR/VISH
24+
65230
询价
IR
24+
NA/
4009
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
IR
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
IR
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
Vishay Siliconix
22+
TO2203 Isolated Tab
9000
原厂渠道,现货配单
询价
IR
TO-220F
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
仙童
05+
TO-262
2500
原装进口
询价
原厂
13+
IC
1
普通
询价
Vishay Siliconix
2025+
TO-220-3
56303
询价