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IRLI530N中文资料100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 FullPAK(Iso)封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRLI530N

功能描述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 FullPAK(Iso)封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 10:55:00

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IRLI530N规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
• 逻辑电平

技术参数

  • 制造商编号

    :IRLI530N

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :TO-220-3 FP

  • VDS max

    :100.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :100.0mΩ

  • RDS (on) max

    :100.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :150.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :7.8A

  • ID  max

    :7.8A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :11.0A

  • Ptot max

    :33.0W

  • QG 

    :22.7nC 

  • Mounting 

    :THT

  • Qgd 

    :13.3nC 

  • RthJC max

    :3.7K/W

  • Tj max

    :175.0°C

  • VGS max

    :16.0V

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