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IRLD110中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书

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厂商型号

IRLD110

功能描述

Power MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-22 13:40:00

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IRLD110规格书详情

特性 Features

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• For Automatic Insertion



技术参数

  • 型号:

    IRLD110

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
DIP-4
33
只做原厂渠道 可追溯货源
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Vishay
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MOSFETs
100000
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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