IRLD110中文资料HEXFET POWER MOSFET数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRLD110
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
DIP4 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
HEXDIP |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
HEXDIP |
19526 |
询价 | |||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
7000 |
询价 | |||
IR |
24+ |
DIP-4 |
33 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IR |
DIP |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
