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KBPC3502	文件：609.93 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:35.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:35.0A FEATURE Surgeoverloadrating:400Apeak Highcasedielectricstrength 1/4”Universalfastonterminal andφ40mllead-wireavailable	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
KBPC3502	文件：411.06 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBPC3502	文件：152.3 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER FEATURES ●Lowcost ●ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Integrallymoldedheatsinkprovideverylowthermalresistance. ●Highisolationvoltagefromcasetolugs. ●Hightemperaturesolderingguaranteed: 260	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
KBPC3502	文件：125.16 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
KBPC3502	文件：293.41 Kbytes Page：3 Pages	35AmpsplasticCaseSiliconBridgeRectifiers Feature ■Surgeoverload400A ■Lowforwardvoltagedrop ■MountingPosition:Any ■Electricallyisolatedbase-2000Volts ■Solderable0.25FastonTerminals ■MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
KBPC3502	文件：428.27 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT35Ampere FEATURES •Lowcost •ThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 •Highforwardsurgecurrentcapability •Integrallymoldedheatsinkprovideverylowthermalresistance. •Highisolationvoltagefromcasetolugs. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
KBPC3502	文件：165.91 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifiers VOLTAGERANGE:50---1000VCURRENT:35.0A Features ◇Ratingto1000VPRV ◇400Amperessurgecapability ◇Highefficiency ◇Electricallyisolatedmetalcaseformaximumheatdissipation ◇Mounting:thruholefor#8screwMounting	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
KBPC3502	文件：101.1 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
KBPC3502	文件：3.21355 Mbytes Page：3 Pages	SINGLEPHASE35AMPGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
KBPC3502	文件：368.37 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIER	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
IRL3502S
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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