| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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IRTO-263 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220FL |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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10年
留言
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IRTO-263 |
20822 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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6年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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18年
留言
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irto-263 |
15000 |
06+ |
原装 |
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10年
留言
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IRTO-263 |
2610 |
25+ |
普通 |
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12年
留言
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IRN/A |
90000 |
26+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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5年
留言
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IRTO-263 |
2610 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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5年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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10年
留言
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IRTO-263 |
3000 |
25+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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16年
留言
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IRTO-263 |
4675 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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3年
留言
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IRTO-263 |
7000 |
23+ |
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3年
留言
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IRTO-263 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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IRSOP |
4609 |
23+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
20000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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1年
留言
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IRTO-263 |
55000 |
26+ |
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6年
留言
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IRFTO263 |
301 |
23+ |
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6年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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IRL2203S图片
IRL2203STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL2203S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.007ohm, Id=100A)
IRL2203STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2203STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
























