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IRL1404L规格书详情
Description
Seventh Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRL1404L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
12+ |
TO-262 |
4112 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
25+ |
TO-262 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ir |
06+ |
TO-262 |
15000 |
原装库存 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-247 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
