INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：326.84 Kbytes 页数：11 Pages

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：326.84 Kbytes 页数：11 Pages

IRF

600V UltraFast Co-Pack IGBT in a Super 247 (TO274AA) package

600V IGBT 与超快软恢复二极管联合封装到Super 247 (TO274AA) 封装中。 • 低 VCE(ON) 和开关损耗\n• 反向偏压安全操作区 (RBSOA) 和最高结温为 175°C\n• 正 VCE(ON) 温度系数\n• 5μs 短路 SOA\n• 无铅，符合 RoHS\n\n优势:\n• High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies\n• Improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability\n• Excellent current shar;

Infineon

英飞凌

TO-247

IR

国际整流器

上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司

TO-263

IR

国际整流器

上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司