IRGPC40F中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IRGPC40F |
| 参数属性 | IRGPC40F 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) |
| 文件大小 |
250.73 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-25 18:06:00 |
IRGPC40F规格书详情
Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.
Features
• Switching-loss rating includes all tail losses
• Optimized for medium operating frequency (1 to 10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve
产品属性
- 产品编号：
IRGPC40FD2
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，27A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO 247 |
161213 |
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询价 | ||
IR |
2022 |
TO-247 |
80000 |
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IR |
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TO-247 |
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IR |
23+ |
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IR |
08+(pbfree) |
TO-247-3 |
8866 |
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IR |
TO247 |
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IR |
23+ |
TO-3P |
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IR |
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IR |
23+ |
TO-3P |
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IR |
23+ |
TO-247 |
35890 |
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