IRGPC30FD2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	IRGPC30FD2
参数属性	IRGPC30FD2 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT W/DIODE 600V 31A TO-247AC
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A)
封装外壳	TO-247-3
文件大小	422.06 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	IRF
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更新时间	2025-12-10 9:17:00
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IRGPC30FD2规格书详情

描述 Description

Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, motor control, UPS and power supply applications.

特性 Features

• Switching-loss rating includes all tail losses

• HEXFREDTM soft ultrafast diodes

• Optimized for medium operating frequency (1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

产品属性

产品编号：
IRGPC30FD2
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，17A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-247AC

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