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IRGP50B60PDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IRGP50B60PDPBF

参数属性

IRGP50B60PDPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 75A 370W TO247AC

功能描述

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-247-3

文件大小

385.42 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 23:00:00

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IRGP50B60PDPBF规格书详情

VCES = 600V

VCE(on) typ. = 2.00V

@ VGE = 15V IC = 33A

Equivalent MOSFET Parameters

RCE(on) typ. = 61mΩ

ID (FET equivalent) = 50A

特性 Features

• NPT Technology, Positive Temperature Coefficient

• Lower VCE(SAT)

• Lower Parasitic Capacitances

• Minimal Tail Current

• HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode

• Tighter Distribution of Parameters

• Higher Reliability

Benefits

• Parallel Operation for Higher Current Applications

• Lower Conduction Losses and Switching Losses

• Higher Switching Frequency up to 150kHz

Applications

• Telecom and Server SMPS

• PFC and ZVS SMPS Circuits

• Uninterruptable Power Supplies

• Consumer Electronics Power Supplies

• Lead- Free

产品属性

  • 产品编号:

    IRGP50B60PDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    360µJ(开),380µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    34ns/130ns

  • 测试条件:

    390V,33A,3.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 370W TO247AC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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