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IRGP50B60PD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGP50B60PD1 |
| 参数属性 | IRGP50B60PD1 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 75A 390W TO247AC |
| 功能描述 | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
468.1 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-22 14:07:00 |
| 人工找货 | IRGP50B60PD1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGP50B60PD1规格书详情
VCES = 600V
VCE(on) typ. = 2.00V
@ VGE = 15V IC = 33A
特性 Features
• NPT Technology, Positive Temperature Coefficient
• Lower VCE(SAT)
• Lower Parasitic Capacitances
• Minimal Tail Current
• HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode
• Tighter Distribution of Parameters
• Higher Reliability
Benefits
• Parallel Operation for Higher Current Applications
• Lower Conduction Losses and Switching Losses
• Higher Switching Frequency up to 150kHz
Applications
• Telecom and Server SMPS
• PFC and ZVS SMPS Circuits
• Uninterruptable Power Supplies
• Consumer Electronics Power Supplies
产品属性
- 产品编号：
IRGP50B60PD1PBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.85V @ 15V，50A
- 开关能量：
255µJ（开），375µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/130ns
- 测试条件：
390V，33A，3.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 600V 75A 390W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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