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IRGP4263D-E数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRGP4263D-E |
| 参数属性 | IRGP4263D-E 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 90A 325W TO-247 |
| 功能描述 | 650V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT in a TO-247AC package. |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 8:01:00 |
| 人工找货 | IRGP4263D-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGP4263D-E规格书详情
简介
IRGP4263D-E属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP4263D-E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRGP4263D-E
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 6.2
- Switching Frequency min max
：8.0kHz 30.0kHz
- Package
：TO-247
- Voltage Class max
：650.0V
- IC(@100°) max
：60.0A
- IC(@25°) max
：90.0A
- ICpuls max
：192.0A
- Ptot max
：325.0W
- VCE(sat)
：1.7V
- Eon
：1.7mJ
- Eoff(Hard Switching)
：1.0mJ
- td(on)
：70.0ns
- tr
：60.0ns
- td(off)
：140.0ns
- tf
：30.0ns
- QGate
：96.0nC
- IF max
：192.0A
- VF
：1.9V
- Irrm
：25.0A
- Ets (max)
：2.7mJ (4.5mJ)
- VCE max
：650.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-247 |
16483 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
30000 |
原装现货,假一赔十. |
询价 | ||
IR |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-247AD |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
7000 |
询价 | |||
IR |
2447 |
TO-247 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
