IRGP30B60KD-EP 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

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厂家型号：
IRGP30B60KD-EP
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
Infineon
库存数量：
6800
产品封装：
原厂原包装
生产批号：
2022+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-24 8:23:00

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原厂料号：IRGP30B60KD-EP品牌：Infineon

全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销

IRGP30B60KD-EP是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Infineon/Infineon Technologies生产封装原厂原包装/TO-247-3的IRGP30B60KD-EP晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IRGP30B60KD-EP
规格书：
下载下载2
企业简称：
IRF详情
厂商全称：
International Rectifier
内容页数：
13 页
文件大小：
276.23 kb
资料说明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

产品属性

类型
描述
产品编号：
IRGP30B60KD-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，30A
开关能量：
350µJ（开），825µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
46ns/185ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 60A 304W TO247AD

供应商

企业：
深圳市鹏顺微电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
杨先生
手机：
13682380609
询价：
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