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IRGIB4640DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 65A 250W TO220	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
ADMV4640	文件：2.79466 Mbytes Page：41 Pages	10.7GHzto12.7GHz,SATCOM,MicrowaveDownconverter GENERALDESCRIPTION TheADMV4640isamicrowavedownconverteroptimizedforvarious satellitecommunication(SATCOM)userterminalsoperatingin the10.7GHzto12.7GHzRFrange. TheADMV4640localoscillator(LO)signalisgeneratedinternally viatheon-chipIntegerN(INT)synthesizer.Th	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AN4640	文件：397.93 Kbytes Page：19 Pages	Thisapplicationnotedescribeshowperipherals	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
CY4640	文件：917.28 Kbytes Page：112 Pages	EZ-Host??ProgrammableEmbeddedUSBHostandPeripheralControllerwithAutomotiveAECGradeSupport	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY4640	文件：1.97335 Mbytes Page：102 Pages	EZ-HostProgrammableEmbeddedUSBHostandPeripheralController	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
EVAL-ADMV4640Z	文件：2.79466 Mbytes Page：41 Pages	10.7GHzto12.7GHz,SATCOM,MicrowaveDownconverter GENERALDESCRIPTION TheADMV4640isamicrowavedownconverteroptimizedforvarious satellitecommunication(SATCOM)userterminalsoperatingin the10.7GHzto12.7GHzRFrange. TheADMV4640localoscillator(LO)signalisgeneratedinternally viatheon-chipIntegerN(INT)synthesizer.Th	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
IRGB4640DPBF	文件：787.73 Kbytes Page：18 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IRGP4640D-EPBF	文件：337.92 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching Improvedrelia	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
IRGIB4640DPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，24A
开关能量：
115µJ（开），600µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
41ns/104ns
测试条件：
400V，24A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
PG-TO220-3
描述：
IGBT 600V 65A 250W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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