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IRGI4060DPBF中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRGI4060DPBF |
| 参数属性 | IRGI4060DPBF 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
| 人工找货 | IRGI4060DPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGI4060DPBF规格书详情
简介
IRGI4060DPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IRGI4060DPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRGI4060DPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.72V @ 15V，7.5A
- 开关能量：
47µJ（开），141µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
29ns/101ns
- 测试条件：
400V，7.5A，47 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
6450 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO220F |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
08+ |
TO220F |
60 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IR |
21+ |
TO-220 |
30000 |
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IR |
25+ |
TO220F |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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IR |
25+ |
TO-220F |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
140 |
询价 | |||
IR |
TO220 |
1000 |
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