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IRGB8B60K 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
IRGB8B60KPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,8A
- 开关能量:
160µJ(开),160µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
23ns/140ns
- 测试条件:
400V,5A,100 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 28A 167W TO220AB
供应商
- 企业:
深圳市威尔健半导体有限公司
- 商铺:
- 联系人:
何妮妮
- 手机:
18124040553
- 询价:
- 电话:
0755-82573210
- 地址:
深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e
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