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IRG8CH37K10F
- 制造商:
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0
- 类别:
- 包装:
管件
- 更新时间:
2024-5-24 10:18:00
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管件
2024-5-24 10:18:00
原厂料号:IRG8CH37K10F品牌:Infineon Technologies
资料说明:IGBT 1200V 100A DIE
IRG8CH37K10F是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装的IRG8CH37K10F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
描述
IRG8CH37K10F
Infineon Technologies
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
管件
2V @ 15V,35A
标准
35ns/190ns
600V,35A,5 欧姆,15V
IGBT 1200V 100A DIE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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