IRG8CH37K10F_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

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原厂料号:IRG8CH37K10F品牌:Infineon Technologies

资料说明:IGBT 1200V 100A DIE

IRG8CH37K10F是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装的IRG8CH37K10F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    irg8ch37k10f

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 资料说明:

    IGBT 1200V 100A DIE

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IRG8CH37K10F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,35A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    35ns/190ns

  • 测试条件:

    600V,35A,5 欧姆,15V

  • 描述:

    IGBT 1200V 100A DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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